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TRS8E65H

Marking：S8E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=22nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=1.5μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多S8E65H供應商 更新時間2025-5-20 23:00:00

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