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CEU16N10L

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEU16N10L

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU16N10SL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,12A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=165mW@VGS=3V. RDS(ON)=130mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

ST16N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

ST16N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

ST16N10

TO-252Packagedesign

STANSON

Stanson Technology

STP16N10L

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

STP16N10L

N-CHANNEL100V-0.14ohm-16A-TO-220POWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNEL100V-0.14?-16A-TO-220POWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.14? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■HIGHdV/dtRUGGEDNESS ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

WSP16N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

WSP16N10

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TECH PUBLIC(臺(tái)舟)
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三極管/MOS管/晶體管 > 場效應(yīng)管(MOSFET)
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VBSEMI/臺(tái)灣微碧
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TO-252
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全新原裝現(xiàn)貨
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SOT-251
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SOT-251
16900
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!
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SOT-251
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更多ST16N10-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-25 10:20:00

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